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产品概述
采用 90 纳米(nm)制程技术的下一代英特尔®赛扬® M 处
理器分为标准版和超低电压版，提供丰富的性能、
价值和功率选项，适用于各类热敏感嵌入式应用和通信应
用。
该系列处理器为中小型企业的通信应用、存储设备以及
POS、ATM 等以价值为导向的嵌入式设备提供理想解决方
案。该系列处理器结合高级处理器技术和新型微架构，同
时仍然与英特尔®微处理器系列早期产品的软件兼容。
采用 90 纳米制程技术的英特尔®赛扬® M 处理器已经过英
特尔® 3100、移动式英特尔® 915GM 高速芯片组、英特尔®
E7520、英特尔® E7320 以及英特尔® 855GME 芯片组的验
证。配备英特尔®赛扬® M 处理器的每款芯片组均可用于创
建独有的平台，从而满足不同客户的需要。
产品主要特点
- 性能与功率选项：
– 英特尔® 赛扬® M 处理器 370Δ，具备 1.5 GHz 的核心
速度和 400 MHz 的前端总线(FSB)速度
– 超低电压英特尔®赛扬® M 处理器 373Δ，具备 1.0 GHz
的核心速度和 400 MHz 的前端总线(FSB)速度
- 由英特尔® 3100、移动式英特尔® 915GM 高速芯片组、
英特尔® E7520、英特尔® E7320、英特尔® 855GME 芯片
组提供支持
- 全新设计的微架构：
– 专用硬件堆栈管理器使用高级硬件控制改进堆栈管理
– 微操作融合改进指令执行
– 高级预支结果功能
– 二级高级传输高速缓存(ATC)在二级高速缓存与处理
器核心之间提供高数据吞吐量通道（1 MB 用于英特
尔®赛扬® M 处理器 370，512 KB 用于超低电压英特
尔®赛扬® M 处理器 373）
- 第二代数据流 SIMD 扩展（数据流 SIMD 扩展 2）功能
增加了 144 个新指令，包括 128 位 SIMD 整数运算和
128 位 SIMD 双倍精确浮点运算
- 采用一流 90 纳米制程技术制造
- 支持单处理器设计
- 与现有的基于英特尔®架构的软件完全兼容
- 478 μFC-PGA 和 479 μFC-BGA 软件包
- 嵌入式生命周期支持
- 在包括英特尔®通信联盟(intel.com/go/ica)成员在内的大
型软硬件提供商生态系统的帮助下，英特尔经济高效地
解决开发问题并缩短产品上市时间
Δ 英特尔®处理器号并非性能测量标准。处理器号用以区分同一系列处理器
的特性，不能区分不同系列处理器的特性。
有关详细信息，请访问
http://www.intel.com/products/processor_number
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